research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
Synthesis and study the optical properties of 〖Ge〗_20 〖Bi〗_x 〖Se〗_(80-x) thin films
تحضير ودراسة الخواص البصرية لأغشية Ge20BixSe80-x

Authors: Jassim Mohammed Salih AlFahdawi جاسم محمد صالح --- Waleed Bdaiwi وليـد بديـوي صالح
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2016 Volume: 14 Issue: 30 Pages: 180-186
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The optical propertiesof Ge_20 Bi_x Se_(80-x) thin filmatx=0,0.2 and 0.6 deposited on glass substrate with thickness of (205±50 nm ) was prepared using thermal evaporation technique. X-ray diffraction has been study and show amorphous crystalline for the films prepared with different concentration of Bismuth and annealed at temperatures 373 K and 473 K at one hour. A study of the absorption spectrum in the wavelengths (300-900) nm has been used to calculated the optical energy (Eg^opt) of the samples. The results show a decrease in the value of the optical energy with increase in Bismuth concentration in the sample, while increase (1.5-2)eV with increase of the temperature of annealing from 373 K to 473 K.

الخواص البصرية لغشاء Ge20BixSe80-x عندx=0,0.2 و0.6 والتي رسبت على قواعد من الزجاج بسمك 205 nm والذي حضر باستخدام طريقة التبخير الحراري. من خلال فحص حيود الاشعة السينية تبين لنا ان الغشاء المحضر نوع عشوائي لكل الاغشية والتي حضرت باختلاف نسب البزموث والتي لدنت بدرجة حرارة373k و 473k لمدة ساعة. ومن دراسة امتصاصية الطيف الموجي بول موجي (300-900)nm استطعنا ان نحسب فجوة الطاقة البصرية والنتيجة كانت كلما زادة نسبة البزموث كلما قلت فجوة الطاقة البصرية في العينات المحضرة, ولاحظنا زيادة في فجوة الطاقة تتراوح بين (1.5-2)eV مع زيادة درجة التلدين من 373k الى 743k.


Article
Effect the Thickness on the Electrical Properties and (I-V) Character of the (CdTe) Thin Films and Find the Efficiency of Solar Cell CdTe/CdS
تاثير السمك على الخواص الكهربائية وخواص (I-V) للاغشية (CdTe) الرقيقة وايجاد الكفاءة للخلية الشمسية (CdS/CdTe)

Authors: Ramiz Ahmed Mohamed رامز احمد محمد --- Dhuha Kareem Harfash ضحى كريم حرفش --- Fallah Ibrahim Mustafa فلاح ابراهيم مصطفى
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2018 Volume: 15 Issue: 2 Pages: 192-197
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of CdTe were prepared with thickness (500, 1000) nm on the glass substrate by vacuum evaporation technique at room temperature then treated different annealing temperatures (373,473,and 573)K for one hour. Results of the Hall Effect and the electrical conductivity of (I-V) characteristics were measured in darkness and light.at different annealing temperature results show that the thin films have ability to manufacture solar cells, and found that the efficient equal to (2.18%) for structure solar cell (Algrid / CdS / CdTe /glass/ Al) and the efficient equal to (1.12%) for structure solar cell (Algrid / CdS / CdTe /Si/ Al) with thick ness of (1000) nm with CdTe thin films at RT.

حضرت اغشية CdTe عند السمك500,1000) nm ) المرسبة على قواعد زجاجية بطريقة التبخير الحراري بالفراغ عند درجة حرارة الغرفة RT للقاعدة المرسبة عليها.وجرى تلدين النماذج عند درجة حرارة K(373,473,573) لمدة ساعة واحدة. وتم قياس ومعامل هول وتوصيلية كهربائية وخواص (I-V) في الظلام والضوء كدالة لدرجات حرارة التلدين والسمك مختلفة فتبين ان اغشية لها القابلية لتصنيع خلايا الشمسية وتم ايجاد كفاءة 2.18%)=η) للخلايا الشمسية (Algrid/CdS/CdTe/glass/Al) و 1.12%)=η) للخلايا الشمسية (Algrid/CdS/CdTe/Si/Al)بسمك nm(1000) لاغشية (CdTe) في درجة حرارة الغرفة RT.


Article
The Influence of Annealing and Doping by Copper on Electrical Conductivity of CdTe Thin Films
تأثير التلدين والتشويب بالنحاس فى التوصيلية الكهربائية لأغشية CdTeالرقيقة

Author: Bushra. K.H.Al-Maiyaly بشرى كاظم حسون الميالي
Journal: Ibn Al-Haitham Journal For Pure And Applied Science مجلة ابن الهيثم للعلوم الصرفة والتطبيقية ISSN: 16094042/ 25213407 Year: 2015 Volume: 28 Issue: 1 Pages: 33-42
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this research CdTe and CdTe: Cu thin films with different doping ratios (1, 2, 3, 4 and5) %, were deposited by thermal evaporation technique under vacuum on glass substrates atroom temperature in thickness 450 nm.The measurements of electrical conductivity (σ), and activation energies (Ea1, Ea2), havebeen investigated on (CdTe) thin films as a function of doping ratios, as well as the effect ofthe heat treatment at (373, 423, and 473) K° for one hour on these measurements werecalculated and all results are discussed.The electrical conductivity measurements show all films prepared contain two types oftransport mechanisms, and the electrical conductivity (σ) increases whereas the activationenergy (Ea) would decrease as the increasing (Cu) percentage in the sample except 5%. It isalso noticed that the electrical conductivity (σ) showed a decreasing trend with increasingannealing temperature, while the activation energies (Ea1, Ea2) showed opposite trend, wherethe activation energies increased with annealing temperature. Also the electrical conductivityvalues was found increased about 3- 4 orders when pure CdTe films are doped with (3, 4) %Cu and annealing at 473 K°.

في هذا البحث حضرت اغشية CdTe الرقيقة غير المشوبة والمشوبة بالنحاس بنسب تشويب مختلفة (1,2,3,4, 5) %بتقنية التبخير الحراري بالفراغ على ارضيات من الزجاج وبسمك 450nm عند درجة حرارة الغرفة . وحسبتقياسات التوصيلية الكهربائية (σ),وطاقات التنشيط(Ea1, Ea2) لاغشية (CdTe)دالة لتغيرنسب التشويب.وكذلك حسب تاثير المعاملة الحرارية بدرجات (373, 423, and 473) K° ومدة ساعة واحدة على هذه القياسات ونوقشت جميع هذه النتائج.وقد أظهرت قياسات التوصيلية الكهربائية ان لكل الاغشية المحضرة آليتين للانتقال الالكتروني ولوحظ زيادة التوصيلية الكهربائية مع نقصان طاقات التنشيط بزيادة نسبة (Cu) بالانموذج ماعدا النسبة 5%. كما لوحظ نقصان التوصيلية الكهربائية مع زيادة درجات حرارة التلدين ، بينما أظهرت طاقات التنشيط سلوكاُ معاكساُ,إذ أزدادت طاقات التنشيط مع زيادة درجة حرارة التلدين. كذلك وجد ان قيم التوصيلية الكهربائية تزداد بمقدار 3- 4 مراتب عند تطعيم اغشية CdTe النقية بنسبة (3, 4) % Cu وتلدينها عند درجة حرارة 473 K°.

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (2)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2018 (1)

2016 (1)

2015 (1)