InSb alloy was prepared then InSb:Bi films have been prepared successfully by thermal evaporation technique on glass substrate at Ts=423K. The variation of activation energies(Ea1,Ea2)of d.c conductivity with annealing temperature (303, 373, 423, 473, 523 and 573)K were measured, it is found that its values increases with increasing annealing temperature. To show the type of the films, the Hall and thermoelectric power were measured. The activation energy of the thermoelectric power is much smaller than for d.c conductivity and increases with increasing annealing temperature .The mobility and carrier concentration has been measured also.

تم في هذا البحث تحضير سبيكة InSb ثم حضرت أغشيةInSb:Bi بنجاح باستعمال طريقةالتبخير الحراري على ارضية من الزجاج وبدرجة حرارة 423K Ts=وتم حساب طاقات التنشيط للتوصيلية المستمرة (Ea1,Ea2) للاغشية المحضرة عند درجات حرارة تلدينK ,473,423,373,303)523 (573, بينت النتائج ازدياد طاقات التنشيط مع زيادة درجة حرارة التلدين. أجريت قياسات هول والقدرة الكهروحرارية لمعرفة نوع الاغشية وكذلك تم حساب طاقة التنشيط للقدرة الكهروحرارية ووجد أنها اقل بكثير مما للتوصيلية المستمرة (d.c) كما أنها تزداد بزيادة درجة حرارة التلدين وكما تم حساب تحركية وتركيز حاملات الشحنة.

Thermal evaporation --- Activation energy --- Thermoelectric power

The effect of deposition angle on the electrical and thermoelectric properties of deposited thin zinc film was studied. The films was deposited using oblique angle deposition method (OAD) by vaccum evaporation with resistive heating technique at different deposition angles (0, 50, 60, 70and 80). Electrical properties revealed a dependence on deposition angle, dark conductivity decreases from 7.5×104 to1.5 × 104 (Ω cm) −1 when deposition angle increases from 0◦ to 80◦. I-V characteristic shows ohmic behavior and the dark current decreases with increases deposition angle. The decrease in electrical conductivity is mainly due the columnar structure accompyined oblique deposition films. Thermoelectric properties were studied, the seeback coefficient, figure of merit, and power factor (PF) dependence on deposition angle (Ө◦), and the Seeback coefficient shows a positive value.

في هذا البحث تمت دراسة تاثير زاوية الترسيب على الخصائص الكهربائية والكهروحرارية لاغشية الخارصين(Zn) المرسبة بتقنية الترسيب المائل (oblique angle deposition technique) بالمقاومة الحرارية في الفراغ و بزوايا مختلفة (80⁰ ,50⁰,60⁰,70⁰ ,◦0 ) . حيث وجد ان الخصائص الكهربائية دالة لزاوية الترسيب .خصائص تيار –جهد اظهرت التصرف الاومي و التيار يقل مع زيادة زاوية الترسيب , كذلك تناقص التوصيلية الكهربائية من7.5×104 to 1.5 × 104 (Ω cm)−1 مع زيادة زاوية الترسيب من 0◦ الى 80◦, وذالك بسبب زيادة الانماء العمودي الناتج عن الترسيب بالوضع المائل , مما يؤدي الى زيادة مقاومة الغشاء , وبالتالي نقصان التوصيلية .في هذا البحث ,تم دراسة الخصائص الكهروحرارية لاغشية الخارصين المرسبة بالوضع المائل . اظهرت نتائج الخصائص الكهروحرارية ان معامل سيبكSeeback Coefficient ,معامل النوعية Figure of Merit ,وعامل القدرةpower factor دالة لزاوية الترسيب , وان قيم معامل سيبك كانت موجبة لجميع النماذج.

Oblique Deposition --- Thermoelectric properties --- Seeback Coefficient.

In this work, it was examined mechanisms that control internal cooling device (nano-homojunction diode)depending on thermoelectric Peltier effect, resulting in structures that are optimized thermal management. Peltier coefficient for short-length diode is theoretically investigated. It is found that the cooling power is governed by the carrier concentration, current density and the ratio of n-type region width to p-type region width. It has been determined the optimum value of the cooling power at the junction of ZnO in the optimum density at doping symmetrically on a certain value.The cooling power, temperature difference (temperature between the contact and the junction) and dimensionless figure of merit are found in this material for different thicknesses, then comparing between them. It has been simulated the homojunction diode using a MATLAB software with numerically calculated the Peltier coefficient for each layer in these diodes.It has been found that nano-homojunction introduce a significant improvement in the internal cooling performance.

في هذا العمل، تم اختبار الآليات التي تتحكم في نبيطة التبريد الداخلي (الصمام الثنائي المتجانس الوصلة النانوي) اعتمادا على تأثير بلتيير، التي تؤدى إلى التراكيب الأمثل للتحكم الحراري. حققنا معامل بلتيير للطول القصير للصمام الثنائي نظريا. تبين أن قوة التبريد تحكمها تركيز الناقل، وكثافة التيار والنسبة بين عرض المنطقة ذات النوع n الى عرض المنطقة ذات نوع p. تم تحديد القيمة المثلى لقوة التبريد عند الوصلةلمادة أكسيد الزنك في الكثافة المثلى عند التطعيمالمتناظر عند قيمة معينة. تم التحققمن قدرة التبريد والفرق في درجة حرارة التبريد (درجة الحرارة بين نقطة الاتصال والوصلة) ومعامل الاستحقاق في هذه المادة لاسماك مختلفة ومن ثم المقارنة بينهما. تم محاكاة الصمام الثنائي المتجانس الوصلة النانوي باستخدام برنامجماتلابمع احتساب معامل بلتيير عدديا لكل طبقة في هذا الثنائي. وقد وجد أن المتجانس الوصلة النانوييدخل تحسنا كبيرا في أداء التبريد الداخلي

ZnO --- Peltier effect --- heat exchange --- thermoelectric cooler --- homojunction --- quantum well

In this research we present extended theoretical study for electron transport through a quantum dot embedded between two normal leads. We model this quantum dot as single impurity (with two energy levels) to study the electron tunneling process through it, the system under consideration is taken out of equilibrium by induced temperature gradient. Its occupation numbers and tunneling current are formulated as a function of all important “chemisorption” functions that related to the tunneling process. Our treatment allows for the tunneling current through the quantum dot to be calculated depending on the spin-dependent occupation numbers.Our theoretical formulation is applied to study the thermoelectric transport through a quantum dot. The symmetrical and asymmetrical coupling between the quantum dot and leads are studied and investigated to explore the existence of electronic rectification.

تم تقديم دراسة نظرية موسعة لنقل الكترون خلال نقطة كمية موصولة بقطبين غير مغناطيسين. لقد تم نمذجة النقطة كمية كشائبة مفردة ( بمستويي طاقة) لدراسة عملية نفق الإلكترون خلالها ، النظام المفترض في حالة انعدام الاتزان بسبب انحدار درجات الحرارة . أعداد الإشغال العائدة لها وتيار النفق تم صيغتهما رياضياً كدالة لكل دوال " الالتصاق الكيميائي" المهمة التي تتعلق بعملية النفق. معالجتنا تتيح لنا حساب تيار النفق خلال النقطة الكمية بالاعتماد على أعداد الإشغال المعتمدة على البرم.صيغنا الرياضية طبقت لدراسة النقل الكهروحراري خلال النقطة الكمية.حيث تم دراسة وفحص الاقتران المتناظر واللا متناظر بين النقطة الكمية والاقطاب لاستكشاف وجود التقويم الالكتروني.

Anderson model --- Quantum dot --- Thermoelectric effects --- نموذج اندرسون، النقطة الكمية، التأثيرات الكهروحرارية.

Alloys of Bi2[Te1-x Sex]3 were prepared by melting technique with different values of Se percentage (x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9 and 1). Thin films of these alloys were prepared by using thermal evaporation technique under vacuum of 10-5 Torr on glass substrates, deposited at room temperature with a deposition rate (12nm/min) and a constant thickness (450±30 nm).The concentrations of the initial elements Bi, Te and Se in the Bi2 [Te1-x Sex]3 alloys with different values of Se percentage (x), were determined by XRF,The morphological and structural properties were determined by AFM and XRD techniques. AFM images of Bi2[Te1-x Sex]3 thin films show that the average diameter and the average surface roughness increase with the increase of the percentage of Se. The X–ray diffraction measurements for bulk and thin films of Bi2[Te1-xSex]3 have polycrystalline structure with rohmbohedral structure, with space group R3m, and a strong (015) preferred orientation, the crystallite increase with the increase of Se percentage .

تم تحضير سبائك المركب Bi2(Te1-x Sex)3 بعملية صهر المواد الاولية وفق نسب مختلفة لنسبة السيلينيوم (x=0 , 0.1 ,0.3 ,0.5 ,0.7,0.9 and 1). الاغشية الرقيقة لهذا المركب تم تحضيرها باستخدام تقنية التبخير الحراري تحت ضغط فراغ يصل الى 10-5 torr)) حيث تم ترسيب المادة على قواعد زجاجية نظيفة في درجة حرارة الغرفة بمعدل ترسيب((12nm/min بسمك ((450±30 nm. . قد تم التأكد من نسب المواد الأولية (Bi ,Te and Se) باستخدام جهاز فلورة الاشعة السينينة XRF , اما الخواص التركيبية للسبائك والاغشية الرقيقة لمركب Bi2(Te1-x Sex)3 باختلاف نسبة السيلينوم فيها بواسطة جهاز حيود الاشعة السينية XRD اما الخواص السطحية للاغشية الرقيقة تم فحصها باستعمال جهاز AFM وقد وجد ان اقطار الحبيبات تزداد بزيادة نسبة السيلينيوم فيها وكذلك يزداد معدل الخشونة فيها ان قياس حيود الاشعة السينية وجد ان السبائك والاغشية الرقيقة لها تركيب متعدد التبلور ذو تركيب سداسي وفسحة مجموعة R3m وكانت القمة السائدة والاقوى هي (015) وكذلك بينت ان حجم البلوريات يزداد بزيادة نسبة السيلينيوم في المركب .

Bismuth Selenide --- Cadmium Selenide --- thermoelectric --- thin films --- thermal evaporation --- structural properties. --- بزموث تيلورايد --- بزموث سيلنايد --- خواص كهرو حرارية ،اغشية رقيقة --- التبخير الحراري --- وخواص تركيبية .