research centers


Search results: Found 10

Listing 1 - 10 of 10
Sort by

Article
Controlling the wavelength of a high power diode laser using thermoelectric cooler
السيطرة على ترددات ليزر دايود عالي القدرة بأستخدام طريقة التبريد الكهروحرارية

Authors: Jassim M. Jassim جاسم محمد جاسم --- Saad Y. Jasim سعد ياسين جاسم --- Fareed F. Rasheed فريد فارس رشيد
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2012 Volume: 10 Issue: 17 Pages: 66-70
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The present work includes a design and characteristics study of a controlling the wavelength of high power diode laser by thermoelectric cooler [TEC] . The work includes the operation of the [TEC] to control the temperature of the diode laser between ( 0- +30) °C by changing the resistance of thermistor. We can control a limited temperature of a diode laser by changing the phase cooling between hot and cold faces of the diode, this process can be attempted by comparator type [LM –311] .The theoretical results give a model for controlling the temperature with, the suitable wavelength.

العمل الحا لي يتضمن دراسة تصممية للسيطرة على الطول ألموجي الى نبضة اليزر المنبعثة من ليزر اشباة الموصلات ذات الطاقة العا لية بواسطة التبريد الكهروحراري . حيث يتضمن هذا العمل تشغيل المبرد الكهروحراري للسيطرة على درجة حرارة ليزر اشباة الموصلات بين 0-30 درجة مئوية, ويتم ذلك بواسة تغير مقاومة المقا وم الثيرميوني. ويمكن من خلال هذا العمل ايضأ الحصول على درجة حراره ثابتة لانتاج طول موجي ثابت وذلك بتغير طور المبرد الكهروحراري بين التبريد والتسخين, ويمكن ان تتم هذه العملية بواسطة المقارن نوع LM-311 . ومن خلال النتائج النظرية تظهر امكانيه عا لية للسيطرة على طول الموجى لنبضة الليزر من خلال هذا النوع من التبريد.


Article
Effect of Annealing Temperature on The Some Electrical Properties of InSb:Bi Thin Films
تأثيردرجة حرارة التلدين في بعض الخصائص الكهربائية لأغشيةInSb:Bi

Author: Zeinab Jassim Shanan زينب جاسم شنان
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2010 Volume: 7 Issue: 4 Pages: 1416-1420
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

InSb alloy was prepared then InSb:Bi films have been prepared successfully by thermal evaporation technique on glass substrate at Ts=423K. The variation of activation energies(Ea1,Ea2)of d.c conductivity with annealing temperature (303, 373, 423, 473, 523 and 573)K were measured, it is found that its values increases with increasing annealing temperature. To show the type of the films, the Hall and thermoelectric power were measured. The activation energy of the thermoelectric power is much smaller than for d.c conductivity and increases with increasing annealing temperature .The mobility and carrier concentration has been measured also.

تم في هذا البحث تحضير سبيكة InSb ثم حضرت أغشيةInSb:Bi بنجاح باستعمال طريقةالتبخير الحراري على ارضية من الزجاج وبدرجة حرارة 423K Ts=وتم حساب طاقات التنشيط للتوصيلية المستمرة (Ea1,Ea2) للاغشية المحضرة عند درجات حرارة تلدينK ,473,423,373,303)523 (573, بينت النتائج ازدياد طاقات التنشيط مع زيادة درجة حرارة التلدين. أجريت قياسات هول والقدرة الكهروحرارية لمعرفة نوع الاغشية وكذلك تم حساب طاقة التنشيط للقدرة الكهروحرارية ووجد أنها اقل بكثير مما للتوصيلية المستمرة (d.c) كما أنها تزداد بزيادة درجة حرارة التلدين وكما تم حساب تحركية وتركيز حاملات الشحنة.


Article
Bias-Voltage Dependence on Thermoelectric Cooler Coefficient for Al0.7Ga0.3As and In0.2Ga0.8As SQW Laser Diode
اعتمادية فولتية الانحياز على معامل الكهروحراري لليزرات Al0.7Ga0.3As , In0.2Ga0.8As ذات البئر المنفرد

Author: Saman Q. Mawlud سامان قادر مولود
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2011 Volume: 16 Issue: 4 Pages: 165-170
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

The theoretical investigation of thermoelectric phenomena in single quantum well (SQW) laser diode was described in this work. Diode laser devices can be modeled by introducing a bias-dependent Peltier coefficient at interfaces that takes into account the variation of the carriers’ average transport energy. The effective Peltier coefficient can vary as a function of applied bias voltage, and can give rise to interfacial thermoelectric cooling or heating depending on device parameters. The temperature dependences of the threshold current at different temperature are investigated for the laser diode, a record characteristic temperature T0=110 K has been achieved for AlGaAs and T0=50 K for InGaAs. The bias voltage dependent bipolar Peltier coefficient is modeled for SQW laser diodes, and the different regimes of bias voltage for which cooling is achieved are described. In this work two type of SQW laser diode were studied they are AlGaAs and InGaAs. The comparison of the theoretically calculated laser parameters; namely, confinement factor, threshold current density and the output power density of SQW GaAs/Al0.7Ga0.3As and GaAs/In0.2Ga0.8As laser showed that the confinement factor is a very important parameter for the performance of this quantum well laser.

الهدف من البحث هو التحقيق النظري لظاهرة التبريد الكهروحراري في ليزر دايود ذات بئر كمي منفرد (SQW)، حيث أستخدم نوعين من هذه الليزرات لغرض المقارنة النظرية من حيث عامل الحصر وهما Al0.7Ga0.3As و In0.2Ga0.8As ، أن معامل بلتير يعتمد اعتمادا شديداً على فولتية الانحياز ويمكن أن ينتج عنها تبريداً كهروحرارياً جيداً للسطوح البينية من خلال الاعتماد على عوامل النبيطة وأتضح أن اعتماد كثافة قدرة التبريد على كثافة تيار العتبة يرتبط الى حد كبير بعوامل تركيب الطبقات في المنطقة الفعالة ، وتمت دراسة أعتمادية التيار العتبة على درجة الحرارة ووجدت بأن T0=110 K بالنسبة الى Al0.7Ga0.3As و T0=50 K بالنسبة الى In0.2Ga0.8As و جرى تحليل أمثل لعوامل الثنائي الليزري المتمثلة في عامل الحصر و كثافة تيار العتبة و كثافة القدرة الخارجة لبئر كمي منفرد حيث أستخدم برنامج MATLAB إصدار 7.8 وذلك لتحليل و مقارنة النتائج. وقد ظهرت من خلال هذه البحث أن العامل الحصر هو معيار مهم لأجل أداء جيدا لهذه النوع من ليزر دايود ذات بئر كمي منفرد.


Article
Study the Effect of oblique Deposition on Electrical and Thermoelectric Properties of Zn thin films.

Authors: Wafaa K. Khalef --- Muslim F.Jawad --- Ali M .Mousa
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2012 Issue: 1 Pages: 666-690
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

The effect of deposition angle on the electrical and thermoelectric properties of deposited thin zinc film was studied. The films was deposited using oblique angle deposition method (OAD) by vaccum evaporation with resistive heating technique at different deposition angles (0, 50, 60, 70and 80). Electrical properties revealed a dependence on deposition angle, dark conductivity decreases from 7.5×104 to1.5 × 104 (Ω cm) −1 when deposition angle increases from 0◦ to 80◦. I-V characteristic shows ohmic behavior and the dark current decreases with increases deposition angle. The decrease in electrical conductivity is mainly due the columnar structure accompyined oblique deposition films. Thermoelectric properties were studied, the seeback coefficient, figure of merit, and power factor (PF) dependence on deposition angle (Ө◦), and the Seeback coefficient shows a positive value.

في هذا البحث تمت دراسة تاثير زاوية الترسيب على الخصائص الكهربائية والكهروحرارية لاغشية الخارصين(Zn) المرسبة بتقنية الترسيب المائل (oblique angle deposition technique) بالمقاومة الحرارية في الفراغ و بزوايا مختلفة (80⁰ ,50⁰,60⁰,70⁰ ,◦0 ) . حيث وجد ان الخصائص الكهربائية دالة لزاوية الترسيب .خصائص تيار –جهد اظهرت التصرف الاومي و التيار يقل مع زيادة زاوية الترسيب , كذلك تناقص التوصيلية الكهربائية من7.5×104 to 1.5 × 104 (Ω cm)−1 مع زيادة زاوية الترسيب من 0◦ الى 80◦, وذالك بسبب زيادة الانماء العمودي الناتج عن الترسيب بالوضع المائل , مما يؤدي الى زيادة مقاومة الغشاء , وبالتالي نقصان التوصيلية .في هذا البحث ,تم دراسة الخصائص الكهروحرارية لاغشية الخارصين المرسبة بالوضع المائل . اظهرت نتائج الخصائص الكهروحرارية ان معامل سيبكSeeback Coefficient ,معامل النوعية Figure of Merit ,وعامل القدرةpower factor دالة لزاوية الترسيب , وان قيم معامل سيبك كانت موجبة لجميع النماذج.


Article
Electrical characterization of thermoelectric generators based on p-type Yb0.6Co4Sb12 and n-type Fe2.0Co2.0Sb12 thermoelectric materials
التوصيفالكهربائيللمولداتالكهروحراريةعلىأساسالنوع الموجبYb0.6Co4Sb12والنوع السالب Fe2.0Co2.0Sb12منالموادالحرارية

Authors: Mustafa Kadhim Salman مصطفى كاظم سلمان --- ArshadHmoodAbdAlkadhim أرشد حمود عبد الكاظم
Journal: Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء ISSN: 20775830 Year: 2019 Volume: 11 Issue: 01 Pages: 106-110
Publisher: University of Kufa جامعة الكوفة

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, thermoelectric power generation (TEPG) device (D) was fabricated.The device based on p-Yb0.6Co4Sb12 and n-Fe2.0Co2.0Sb12, fabricated by using the solid state microwave. 8-couples of legs connected and attached to alumina substrates by Ag paste–Cu plate–Ag paste electrodes, with dimensions of 25 mm by 25 mm were used to fabricate the device. The maximum output power (Pmax) and the open-circuit voltage (Voc) was estimated based on the temperature difference (∆T) of 210 K and the hot-side temperature (TH) of 603 K for the module. We found the obtained open-circuit voltage (Voc) was 18.046 mV and the maximum output power (Pmax) was 12.732 μW.

فيهذهالدراسة،تمتصنيعجهازمولدالطاقةالكهروحراريةاستندهذاالجهازعلىنوعينمنالمركباتنوعp-Yb0.6Co4Sb12والنوعn-Fe2.0Co2.0Sb12،المحضرةبطريقةمايكرويفالحالةالصلبة. التيتشملثمانية أزواجمنالقظبانالموصلةمعبعضهاوالمرتبطةبقاعدةمنالألومينابواسطة (Ag paste) ومنثماقطابالنحاس ((Cuومنثم ( Ag paste) للأقطابالكهربائية،حيثكانلقاعدةالالوميناأبعاد (25 مليمترX25مليمتر). تمحسابالقدرةالخارجةالعظمى (Pmax) وفولطيةالدائرةالمفتوحة (Voc) أعتمادعلىإختلافدرجةالحرارة 210 درجةمطلقةوكانتدرجةحرارةالجانبالحار 603 درجةمطلقةللجهاز. حيثكانفولطيةالدائرةالمفتوحةالناتجةVoc) ) 18.046 mV،القدرةالخارجةالعظمىالناتجة (Pmax)12.732 μW..


Article
The heat exchange Intensification in Nano-homo junction semiconductor materials
تكثيف التبادل الحراري في مواد أشباه الموصلات ذات الوصلة المتجانسة النانوية

Author: Mahmood Radhi Jubayer
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 5 Part (B) Scientific Pages: 819-829
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, it was examined mechanisms that control internal cooling device (nano-homojunction diode)depending on thermoelectric Peltier effect, resulting in structures that are optimized thermal management. Peltier coefficient for short-length diode is theoretically investigated. It is found that the cooling power is governed by the carrier concentration, current density and the ratio of n-type region width to p-type region width. It has been determined the optimum value of the cooling power at the junction of ZnO in the optimum density at doping symmetrically on a certain value.The cooling power, temperature difference (temperature between the contact and the junction) and dimensionless figure of merit are found in this material for different thicknesses, then comparing between them. It has been simulated the homojunction diode using a MATLAB software with numerically calculated the Peltier coefficient for each layer in these diodes.It has been found that nano-homojunction introduce a significant improvement in the internal cooling performance.

في هذا العمل، تم اختبار الآليات التي تتحكم في نبيطة التبريد الداخلي (الصمام الثنائي المتجانس الوصلة النانوي) اعتمادا على تأثير بلتيير، التي تؤدى إلى التراكيب الأمثل للتحكم الحراري. حققنا معامل بلتيير للطول القصير للصمام الثنائي نظريا. تبين أن قوة التبريد تحكمها تركيز الناقل، وكثافة التيار والنسبة بين عرض المنطقة ذات النوع n الى عرض المنطقة ذات نوع p. تم تحديد القيمة المثلى لقوة التبريد عند الوصلةلمادة أكسيد الزنك في الكثافة المثلى عند التطعيمالمتناظر عند قيمة معينة. تم التحققمن قدرة التبريد والفرق في درجة حرارة التبريد (درجة الحرارة بين نقطة الاتصال والوصلة) ومعامل الاستحقاق في هذه المادة لاسماك مختلفة ومن ثم المقارنة بينهما. تم محاكاة الصمام الثنائي المتجانس الوصلة النانوي باستخدام برنامجماتلابمع احتساب معامل بلتيير عدديا لكل طبقة في هذا الثنائي. وقد وجد أن المتجانس الوصلة النانوييدخل تحسنا كبيرا في أداء التبريد الداخلي


Article
Electron Tunnelling Through a Quantum Dot Induced by Temperature Gradient : Weak and Strong Coupling cases
نفق الالكترون خلال النقطة الكمية يحث بواسطة انحدار درجات الحرارة: حالات الاقتران الضعيف والقوي

Loading...
Loading...
Abstract

An extended theoretical study for electron transport through a quantum dot embedded between two normal leads is presented; the system under consideration is taken out of equilibrium by induced temperature gradient. We model this quantum dot as single impurity (with two energy levels) to study the electron tunneling process through it. Its occupation numbers and tunneling current are formulated as a function of all important “chemisorption” functions that are related to the tunneling process. Our treatment allows for the tunneling current through the quantum dot to be calculated depending on the spin-dependent occupation numbers. The related relations which are spin-dependent are solved self-consistently to calculate the quantum dot energy levels and their occupation numbers and broadenings as well as the correlation energy.The weak and strong coupling regimes will be studied and discussed extendedly.

تم تقديم دراسة نظرية موسعة لنقل الكترون خلال نقطة كمية موصولة بقطبين غير مغناطيسين للنظام المفترض في حالة انعدام الاتزان بسبب انحدار درجات الحرارة. لقد تم نمذجة النقطة الكمية كشائبة مفردة ( بمستويا طاقة) لدراسة عملية نفق الإلكترون خلالها. اعداد الإشغال العائدة لها وتيار النفق تم صيغتهما رياضياً كدالة لكل دوال " الالتصاق الكيميائي" المهمة التي تتعلق بعملية النفق.معالجتنا تتيح لنا حساب تيار النفق خلال النقطة الكمية بالاعتماد على إعداد الإشغال المعتمدة على البرم. حيث تم حل العلاقات المتعلقة المعتمدة على البرم حلاً ذاتياً لحساب طاقة مستويات النقطة الكمية و اعداد الإشغال ودوال التعريض و طاقة التبادل العائدة لها. لقد تمت دراسة نهج الاقتران الضعيف والقوي ومناقشتة بصورة موسعة.


Article
Single Quantum Dot as Electronic Rectifier Due to Asymmetric Coupling Interaction
النقطة الكمية كمقوم الكتروني بسبب تفاعل الاقتران اللا متناظر

Authors: M. K. Shamer موسى كاظم شامر --- J.M. Al-Mukh جنان مجيد المخ --- S. I. Easa شاكر ابراهيم عيسى
Journal: JOURNAL OF THI-QAR SCIENCE مجلة علوم ذي قار ISSN: 19918690 Year: 2014 Volume: 5 Issue: 1 Pages: 97-104
Publisher: Thi-Qar University جامعة ذي قار

Loading...
Loading...
Abstract

In this research we present extended theoretical study for electron transport through a quantum dot embedded between two normal leads. We model this quantum dot as single impurity (with two energy levels) to study the electron tunneling process through it, the system under consideration is taken out of equilibrium by induced temperature gradient. Its occupation numbers and tunneling current are formulated as a function of all important “chemisorption” functions that related to the tunneling process. Our treatment allows for the tunneling current through the quantum dot to be calculated depending on the spin-dependent occupation numbers.Our theoretical formulation is applied to study the thermoelectric transport through a quantum dot. The symmetrical and asymmetrical coupling between the quantum dot and leads are studied and investigated to explore the existence of electronic rectification.

تم تقديم دراسة نظرية موسعة لنقل الكترون خلال نقطة كمية موصولة بقطبين غير مغناطيسين. لقد تم نمذجة النقطة كمية كشائبة مفردة ( بمستويي طاقة) لدراسة عملية نفق الإلكترون خلالها ، النظام المفترض في حالة انعدام الاتزان بسبب انحدار درجات الحرارة . أعداد الإشغال العائدة لها وتيار النفق تم صيغتهما رياضياً كدالة لكل دوال " الالتصاق الكيميائي" المهمة التي تتعلق بعملية النفق. معالجتنا تتيح لنا حساب تيار النفق خلال النقطة الكمية بالاعتماد على أعداد الإشغال المعتمدة على البرم.صيغنا الرياضية طبقت لدراسة النقل الكهروحراري خلال النقطة الكمية.حيث تم دراسة وفحص الاقتران المتناظر واللا متناظر بين النقطة الكمية والاقطاب لاستكشاف وجود التقويم الالكتروني.


Article
Design and Implementation of Low Power Thermoelectric Refrigerator
تصميم وتنفيذ ثلاجه كهروحراريه ذات استهلاك قدره قليلة

Author: Sahar R. Al-Sakini سحر راضي الساكني
Journal: Al-Rafidain University College For Sciences مجلة كلية الرافدين الجامعة للعلوم ISSN: 16816870 Year: 2017 Issue: 40 Pages: 260-281
Publisher: Rafidain University College كلية الرافدين الجامعة

Loading...
Loading...
Abstract

The Objective of this study is to design a prototype of thermoelectric Refrigerator using Peltier effect on thermoelectric refrigerate or to achieve and protect a specific temperature, to be maintained a selected temperature at acceptable range. The Interior volume of the thermoelectric refrigerator is 6.8 Liter. The design requirements are to cool the volume (6.8Liter) to a suitable temperature within a short time, low power and low cost. The Thermo electrical refrigeration is a new ersatz because it can change waste electricity power to useful cooling, so it's increasing demand desired at the field of food preservation, vaccine storages, cooling of electronic devices and medical services. The system consists of the thermoelectric chamber, heat sink, thermo couple, fan, insulator material and D.C. Source. The Results of this work show that the reduced energy needed for thermoelectric refrigerator is about 60 Watt, which is less than the power for the traditional refrigerator. In this study foam insulator is used of thicknesses (20mm, 40mm) and the heat load (Qc) which obtained is (31W, 23W) respectively .

الهدف من هذه الدراسه هو تصميم نموذج اولي لثلاجه كهروحراريه باستخدام تاثير بيلتير للمحافظه على درجات حراريه معينه ضمن نطاق مقبول. الحجم الداخلي للثلاجه الكهروحراريه هو 6,8 لتر. اساسيات التصميم هي لتبريد حجم (6,8 لتر) الى درجات حراره مناسبه بوقت قصير, قدره قليله وكلفه واطئة. الثلاجه الكهروحراريه هي بديل جديد لانه يمكن الاستفادة بها من خسائر الطاقة الكهربائيه الى تبريد مفيد لذا الطلب عليها متزايد في مجال حفظ الاغذيه ,حفظ اللقاحات ,تبريد الاجهزه الالكترونيه والخدمات الطبيه .المنظومه الكهروحراريه تتالف من:غرفة, مسرب حراري, مزدوج حراري, مروحه, مواد عازله ومصدر تيار مستمر. النتائج المستحصله في هذه الدراسه تبين استخدام طاقه اقل للثلاجه الكهروحراريه وهي تقريبا ( 60 واط), وهذه الطاقه اقل من المستخدمه في الثلاجات التقليديه. في هذه الدراسه استخدم الفوم العازل بسمكين (20 ملم, 40 ملم) والحمل الحراري المستحصل هو (31واط , 23واط ) بالتعاقب.


Article
The Effect of the (Se) percentage on Compositional, Morphological and structural properties of Bi2(Te1-xSex)3 thin films
تأثير نسبة (Se) على الخواص السطحية والتركيبية لاغشية Bi2(Te1-x Sex)3 الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

Alloys of Bi2[Te1-x Sex]3 were prepared by melting technique with different values of Se percentage (x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9 and 1). Thin films of these alloys were prepared by using thermal evaporation technique under vacuum of 10-5 Torr on glass substrates, deposited at room temperature with a deposition rate (12nm/min) and a constant thickness (450±30 nm).The concentrations of the initial elements Bi, Te and Se in the Bi2 [Te1-x Sex]3 alloys with different values of Se percentage (x), were determined by XRF,The morphological and structural properties were determined by AFM and XRD techniques. AFM images of Bi2[Te1-x Sex]3 thin films show that the average diameter and the average surface roughness increase with the increase of the percentage of Se. The X–ray diffraction measurements for bulk and thin films of Bi2[Te1-xSex]3 have polycrystalline structure with rohmbohedral structure, with space group R3m, and a strong (015) preferred orientation, the crystallite increase with the increase of Se percentage .

تم تحضير سبائك المركب Bi2(Te1-x Sex)3 بعملية صهر المواد الاولية وفق نسب مختلفة لنسبة السيلينيوم (x=0 , 0.1 ,0.3 ,0.5 ,0.7,0.9 and 1). الاغشية الرقيقة لهذا المركب تم تحضيرها باستخدام تقنية التبخير الحراري تحت ضغط فراغ يصل الى 10-5 torr)) حيث تم ترسيب المادة على قواعد زجاجية نظيفة في درجة حرارة الغرفة بمعدل ترسيب((12nm/min بسمك ((450±30 nm. . قد تم التأكد من نسب المواد الأولية (Bi ,Te and Se) باستخدام جهاز فلورة الاشعة السينينة XRF , اما الخواص التركيبية للسبائك والاغشية الرقيقة لمركب Bi2(Te1-x Sex)3 باختلاف نسبة السيلينوم فيها بواسطة جهاز حيود الاشعة السينية XRD اما الخواص السطحية للاغشية الرقيقة تم فحصها باستعمال جهاز AFM وقد وجد ان اقطار الحبيبات تزداد بزيادة نسبة السيلينيوم فيها وكذلك يزداد معدل الخشونة فيها ان قياس حيود الاشعة السينية وجد ان السبائك والاغشية الرقيقة لها تركيب متعدد التبلور ذو تركيب سداسي وفسحة مجموعة R3m وكانت القمة السائدة والاقوى هي (015) وكذلك بينت ان حجم البلوريات يزداد بزيادة نسبة السيلينيوم في المركب .

Listing 1 - 10 of 10
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (10)


Language

English (9)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2019 (1)

2017 (2)

2015 (1)

2014 (2)

2012 (2)

More...