research centers


Search results: Found 289

Listing 1 - 10 of 289 << page
of 29
>>
Sort by

Article
Optical Properties Of ZnxCd1-xS Thin Films

Author: Mazin A. Mahdi
Journal: Journal of Basrah Researches (Sciences) مجلة ابحاث البصرة ( العلميات) ISSN: 18172695 Year: 2006 Volume: 32 Issue: 3A Pages: 44-50
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

Optical properties of Zn¬xCd1-xS thin films prepared by using a fast thermal evaporation technique with different Zn concentrations in the range (0.0  x  1.0) have been investigated in room temperature. Optical transmission of films are recorded in the wavelength range 300-700 nm . Direct energy band gap to these films were determined by correlated between the optical absorption coefficient with the photon energy .Energy gaps values were in the range (2.4 – 3.5 eV).

الخواص الضوئية لاغشية المركب Zn¬xCd1-xS الرقيقة المحضرة بتقنية التبخير الحراري السريع في الفراغ وبنسب مختلفة من العنصر Zn ضمن المدى (0.0  x  1.0) تمت دراستها في درجة حرارة الغرفة . تم تسجيل نتائج النفاذية الضوئية للاغشية المحضرة عند اطوال موجية في المدى 300-700 nm ومن ثم حسبت فجوة الطاقة المباشرة من خلال العلاقة بين معامل الامتصاص الضوئي وطاقة الفوتون الساقط . تراوحت قيم فجوة الطاقة ضمن المدى(2.4 - 3.5 eV) .


Article
Nanostructure Cadmium Oxide Thin Film Prepared by Vacuum Evaporation Thermal Technique
اغشية اوكسيد الكادميوم ذات التركيب النانوي المحضرة بتقنية التبخيرالحراري بالفراغ

Author: Wafaa K.Khale
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 5 Part (B) Scientific Pages: 1009-1018
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium Oxide films have been prepared by vacuum evaporation technique on a glass substrate at room temperature. Structural optical and morphological properties of the films are studied at different oxidation temperatures (573 To 773) K, for the thickness (300) nm at 30 mint. XRD pattern confirm the films shows the polycrystalline nature of the film with preferential orientation along (111) plane. The film deposited with higher oxidation temperatures shows higher transmittance compared to others. Direct energy band gap of CdO thin film increases with increases of oxidation temperature. From AFM measurement, the average grain size is in the range of nanometer and it shows the faceted columnar microstructure of the film is perpendicular to the surface.

تم تحضير اغشية اوكسيد الكادميوم بواسطة بواسطة تقنية التبخير بالفراغ على قواعد زجاجية بدرجة حرارة الغرفة .الخصائص التركيبية ,البصرية والسطحية للاغشية المحضرة شخصت بدرجات حراريه مختلفة ( 573الى 773 ) كلفن عند سمك غشاء (300) نانوميتر . تقنية حيود الاشعة السينية شخصت اغشية اوكسيد الكادميوم بمتعدد البلورات وذو اتجاهية مفضلة ( 111). لقد وجد ان الاغشية الموكسدة عند درجات حرارةعالية تمتلك اعلى نفاذية ,اضافة الى ذلك قيمة فجوة الطاقة تزداد مع زيادة درجة حرارة الاكسدة .من خلال قياس مجهر القوه الذري وجد ان ابعاد جسيمات الغشاء بالنانوميترو ذات بنية الاعمدة المايكروية العمودية على سطح الغشاء .


Article
The Effect of Heat Treatment on Phase Formation of Ti-Al-C thin films
تأثیر التعامل الحراري على الاطوار الناتجة لفلم رقیق من سبائك التیتانیوم - المنیوم- كاربون

Author: Ahmed Mohamed Hasan احمد محمد حسن عبدالكاظم
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 19 Pages: 405-419
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

A variety of different chemical compositions Titanium-Aluminum-Carbon thinfilms were achieved by combinatorial magnetron sputtering. The as-depositedternary diagram can be divided into two regions. The first region consists oftitanium carbide structure with substitutional Aluminum atoms at the Carbon richside of the diagram. The second region consists of the amorphous phase at the restof the appearing diagram. At 500°C the amorphous phase transforms to titaniumcarbide structure with substitutional Aluminum atoms and at 600 and 700°C manyternary phases have been shown by X-ray diffraction at different regions while theCarbon rich side sustains the titanium carbide structure with substitutionalAluminum atoms. This work could be considered as a leading study in the way toproduce the ternary ceramics at temperatures below the conventional ranges inpowder metallurgy as it had been proved earlier by us.

تش كیلة م ن التراكی ب الكیمیائی ة المختلف ة م ن الاف لام الرقیق ة ل التیت انیوم-المنی وم-ك اربون ت مانجازھا بواسطة التذریة المغنترونیة. یمكن تقسیم مخطط الات زان الثلاث ي ال ى منطقت ین ف ي درج ةحرارة الغرفة الاولى متبلورة من تركیب كاربید التیتانیوم الحاوي على ذرات الالمنیوم التعویض یةفي نسب الكاربون العالي واخرى غیر متبلورة في المناطق المتبقیة. عند درجة حرارة 500 درجةمئویة تتبلور جمیع المناطق الغیر متبلورة لتنتج كاربید التیتانیوم الحاوي على المنیوم. وعن د درج ةحرارة 600 و 700 درج ة مئوی ة وج د ظھ ور ع دة اط وار ثلاثی ة أمك ن تشخیص ھا بحی ود الاش عةالسینیة في مناطق مختلفة من المخطط الثلاثي م ع اس تمرار المحافظ ة عل ى ط ور الكاربی د الثن ائيالحاوي على الالمنیوم في المناطق ذات نسبة الكاربون العالی ة. تع د ھ ذه الدراس ة رائ دة ف ي مج الانتاج افلام رقیقة من السیرامیك الثلاثي بدرجات ح رارة اق ل م ن درج ات الح رارة التقلیدی ة. وھ ياثب ات اخ ر لدراس اتنا الس ابقة ع ن امكانی ة اس تخدام التعام ل الح راري لانت اج الس یرامیك الثلاث يبدرجات حرارة اقل من نضیراتھا في حال الانتاج بتقنیة المساحیق.

Keywords

Thin Films --- TiCx --- Sputtering


Article
Preparation and Characterization of High Quality SnO2 Films Grown by (HPCVD)
تحضيراغشية اوكسيد القصدير عالية النوعية باستخدام الترسيب الكيمياوي ذو الاساس الحار

Authors: Baha T. Chiad --- Nathera Ali --- Nagam Th.Ali
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 801-810
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research SnO2 thin films have been prepared by using hot plate atmospheric pressure chemical vapor deposition (HPCVD) on glass and Si (n-type) substrates at various temperatures. Optical properties have been measured by UV-VIS spectrophotometer, maximum transmittance about (94%) at 400 0C. Structure properties have been studied by using X-ray diffraction (XRD) , its shows that all films have a crystalline structure in nature and by increasing growth temperature from(350-500) 0C diffraction peaks becomes sharper and grain size has been change. Atomic force microscopy (AFM) uses to analyze the morphology of the Tine Oxides surface structure. Roughness & Root mean square for different temperature have been investigated. The results show that both increase with substrate temperature increase this measurements deal with X-Ray diffraction results, that there is large change in the structure state of SnO2 thin f film by changing temperature parameter.

في هذا البحث تم تحضير أغشية اوكسيد القصدير بطريقة الترسيب الكيماوي بالبخار بالضغط الجوي على قاعدة ساخنة من الزجاج وسيلكون لدرجات حرارة مختلفة. الخصائص البصرية للغشاء تم قياسها باستخدام جهاز مطياف (UV-Vis.) اقصى نفاذية كانت بحدود(94%) عند 400 0C . أما الخصائص التركيبية تم دراستها باستخدام حيود الأشعة السينية التي أوضحت انه جميع الاغشية هي ذات تركيب بلوري بطبيعتها وبتغيير حرارة نمو الغشاء لمدى (300-500 ) 0C فان قمم الحيود أصبحت اكثر حدة والحجم الحبيبي يتغير. استخدم مجهر القوى الذرية لتحليل طوبوغرافية وتركيب سطح أغشية اوكسيد القصدير حيث تم حساب الخشونة ومعدل الجذر التربيعي للعينات المحضرة ولدرجات حرارة مختلفة واظهرت النتائج بأن كلاهما يزداد مع ازدياد درجة حرارة الاساس وهذا يتفق مع نتائج حيود الاشعة السينية كما ان هنالك تغيير كبير بالحالة التركيبية لغشاء SnO2 مع تغيير مؤثر الحرارة.

Keywords

Sno2 --- Thin Films --- Hpcvd


Article
Effect of annealing on superconducting properties of Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu2.2Zn0.8O10 thin films by pulsed laser deposition
تاثير التلدين على الخواص الفائقة التوصيل للاغشية الرقيقة Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu2.2Zn0.8O10 المرسبة بالليزر النبضي

Loading...
Loading...
Abstract

Superconducting thin films of Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu2.2Zn0.8O10 system were prepared by depositing the film onto silicon (111) substrate by pulsed laser deposition. Annealing treatment and superconducting properties were investigated by XRD and four probe resistivity measurement. The analysis reveals the evolution of the minor phase of the films 2212 phase to 2223 phase, when the film was annealed at 820 °C. Also the films have superconducting behavior with transition temperature ≥90K.

حضرت الاغشية الرقيقة للنظام Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu2.2Zn0.8O10 على ارضية سليكون (111) بطريقة الترسيب بالليزر النبضي . تم استقصاء المعاملة الحرارية والخواص الفائقة التوصيل باستخدام حيود الاشعة السينية وقياسات المقاومية.بينت تحليلات حيود الاشعة السينية حدوث ارتقاء للطور الى الطور العالي عند°C 820 .كما لوحظ ان الاغشية لها سلوك فائق التوصيل وبدرجة حرارة انتقالية≥90K


Article
Nanocrystalline B-Silicon Carbide Films Prepared by TEACO2 Laser
أغشية كاربيد السليكون بالطور بيتا نانوية البلورات المحضرة بليزر TEACO2

Author: Hamad R. Humud حمد رحيم حمود
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2011 Volume: 9 Issue: 15 Pages: 14-17
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of microcrystalline and nanocrystalline -silicon carbide and silicon, where deposited on glass substrate with substrate temperature ranging from 350-400C, with deposition rate 0.5nm per pulse, by laser induced chemical vapor deposition. The deposition induced by TEACO2 laser. The reactant gases (SiH4 and C2H4) photo decompose throughout collision associated multiple photon dissociate. Such inhomogeneous film structure containing crystalline silicon, silicon carbide and amorphous silicon carbide matrix, give rise to a new type of material nanocrystalline silicon carbide in which the optical transmittance is governed by amorphous SiC phase while nanocrystalline grain are responsible for the conduction processes. This new material is promised for many new applications, lick high efficiency solar cell.X-ray diffraction patterns and scanning microscope images revealed that nanocrystalline SiC and Si films grew at substrate temperature above 400C, while completely amorphous films grew at substrate temperature 350C.

استعملت طريقة الليزر الحاث على ترسيب البخار كيميائياَ في تحضير أغشية كاربيد السليكون بالطور  بلوراتها ذات أحجام نانوية ومايكروية على قواعد من الزجاج وبدرجات حرارة ترسيب 400-350 درجة مئوية وبمعدل ترسيب 0.5 نانومتر لكل نبضة. وقد أنجز ذلك بليزرTEACO2. الغازات المتفاعلة(SiH4 and C2H4) تفككت ضوئياَ عبر التفكك متعدد الفوتونات المعزز بالتصادم. الأغشية المحضرة كانت ذات بنية تركيبية متنوعة من بلورات السليكون وكاربيد السليكون المغمورة داخل ماتركس من كاربيد السليكون ذو تركيب عشوائي. هذا التنوع في البنية التركيبية للغشاء جعله مادة جديدة من أغشية كاربيد السليكون النانوية. فيها النفوذية البصرية محكومة بالخواص العشوائية للـ SiC والتوصيلية تحكمها الخواص البلورية النانوية للغشاء. أغشية بهذه الخواص تُعّد بتطبيقات جديدة ومتنوعة منها الخلايا الشمسية عالية الكفاءة. بينت نماذج حيود الأشعة السينية وصور المجهر الإلكتروني الماسح أن الأغشية المحضرة عند درجة حرارة 400 درجة مئوية ذات تركيب نانوي لكل من SiC و Si والأغشية التي حضرت بدرجة حرارة 350 ذات تركيب بنائي عشوائي.


Article
Some gas sensing properties of PbS thin films
بعض خصائص تحسس الغازات لأغشية PbS الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

In this research PbS thin film have been prepared by chemical bath deposition technique (CBD).The PbS film with thickness of (1-1.5)μm was thermally treated at temperature of 100°C for 4 hours. Some Structural characteristics was studied by using X-ray diffraction (XRD)and optical microscope photograph some of chemical gas sensing measurements were carried out ,it shown that the sensitivity of (CO2) gas depend on the grain Size and deposition substrate. The grain size of PbS film deposited on on glass closed to 21.4 nm while 37.97nm for Si substrate. The result of current-voltage characterization shwon the sensitivity of prepared film deposited on Si better than film on glass.

في هذا البحث حضرت أغشية PbS بتقنية الترسيب الكيمياوي عند سمك(1-1.5) m وعوملت الأغشية حرارياً عند درجة حرارة 100C لمدة أربعة ساعات. درست بعض الخصائص التركيبية بإستخدام جهاز X-ray والمجهر الضوئي،اما بالنسبة لفحوصات المتحسسات الغازية أثبتت أن التحسسية تعتمد على الحجم الحبيبي ونوع الأرضية المرسبة عليها الأغشية. الحجم الحبيبي للأغشية PbS المرسبة على الزجاج كانت مساوية لـ nm 21.4 بينما الأغشية المرسبة على السليكون تساوي 37.97 ، النتائج أظهرت أن خصائص التيار- فولتية والتحسسية للأغشية المرسبة على الـ Si أفضل مما عليه في الزجاج.


Article
Structural and electrical properties of tellurium thin films prepared by vacuum thermal deposition
الخواص التركيبية والكهربائية لاغشية التليريوم المحضرة بطريقة التبخير الحراري

Authors: Marwa R. Fahad مروة رحيم فهد --- Souad G.Kaleel سعاد غفوري خليل --- Mahdi H.Suhail مهدي حسن سهيل
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2012 Volume: 10 Issue: 17 Pages: 7 -11
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of highly pure (99.999%) Tellurium was prepared by high vacuum technique (5*10-5torr), on glass substrates .Thin films have thickness 0.6m was evaporated by thermal evaporation technique. The film deposited was annealed for one hour in vacuum of (5*10-4torr) at 373 and 423 K. Structural and electrical properties of the films are studies. The x-ray diffraction of the film represents a poly-crystalline nature in room temperature and annealed film but all films having different grain sizes. The d.c. electrical properties have been studied at low and at relatively high temperatures and show that the conductivity decreases with increasing temperature at all range of temperature. Two types of conduction mechanisms were found to dominate in the measured temperature range.

أعدت أغشية رقيقة من التليريوم عالي النقاوة (99.999٪) بواسطة تقنية عالية الفراغ ((5x10-6 تور، على ارضيات من الزجاج. حضرت الأغشية الرقيقة بسمك 0.6 مايكرون بواسطة تقنية التبخير الحراري. لدنت الاغشية المحضرة لمدة ساعة في فراغ ((5x10-6 تورعند 373 و 423 كلفن.درست الخصائص التركيبية والكهربائية للاغشية المحضرة. حيود الأشعة السينية للاغشية اظهرت ان الاغشية متعدده التبلور في درجة حرارة الغرفة والملدنة ولكن جميع الأغشية ذات أحجام حبيبة مختلفة. تم دراسة الخصائص الكهربائية المستمرة عند درجات حرارة منخفضة درجة حرارة مرتفعة نسبيا، وتبين أن التوصلية تتناقص مع زيادة درجة الحرارة ولجميع مديات درجة الحرارة. نوعان من آليات التوصيل موجودة فى الاغشية في نطاق درجة الحرارة المقاسة.


Article
Study The Effect of Thickness on Zno Thin Films prepared by Spray Pyrolysis Method
دراسة اختلاف السُمك لأغشية أوكسد الزنك المحضرة بطريقة الرش الكيميائي

Author: Ghuzlan S. Ahmed غزلان سرحان احمد
Journal: Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة ISSN: ISSN: 19918941 Year: 2013 Volume: 7 Issue: 2
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

Zinc oxide thin films ZnO were prepared by spray pyrolysis method with different thickness from(247.35,342.4,437.6)nm onto glass substrate at 350◦c .The concentration is 0.3 Molary,X-ray diffraction patterns confirm the proper phase formation of the material.The optical properties of ZnO were determined through the optical transmission method using ultraviolet-visible spectrophotometer with wave length (300-1100)nm. The energy gap increases with the increase of thin film thickness and ranges from (3.0,3.2,3.25)eV.

حُضرت اغشية رقيقة لأوكسيد الزنك المحضرة بطريقة الرش الكيميائي ولسُمك مختلف منهوبمعدل رش (5mنانومتر على قواعد زجاجية بدرجة حرارة 350, 437, 247وبتركيز 03مولاري .ان حيود الاشعة السينية بين بان الغشاء ذو تركيب متعدد التبلور .حُددت الخواص البصرية للاغشية عن طريق النفاذية البصرية بأستعمال مطيافضمن الاطوال الموجية(300-1100). Ultra Violet –Visible


Article
Behavior of A.C conductivity and Complex dielectric constant of ZnS Thin Films
سلوك التوصيلية الكهربائية AC وثابت العزل الكهربائي للاغشية لكبريتيد الخارصين الرقيقة ZnS

Authors: Zainab Taha A --- Khitam S. Shaker --- Suaad S. Shaker --- Raghdaa Hameed Hani
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 745-752
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The effect of temperature on dielectric properties of the prepared ZnS thin films by chemical bath deposition at film thickness (200) nm deposited at substrate temperature 333 K, was measured at frequency range (0.04-10 MHz) in the temperature range (298- 473) K .The temperature – dependent of electrical conductivity, the real and imaginary parts of the complex dielectric constant are calculated at the selected frequencies. The frequency exponent n, and the activation energy, Ea, are determined. The a.c. conduction mechanism of ZnS films has been explained on the basis of hopping of charge carriers.

تأثير درجة الحرارة على خصائص العازلة للكهربائيةللأغشية الرقيقة ZnSالمرسبة بطريقة الترسيب الحمام الكيميائيلغشاء ذات سماكة (200) نانومتر ومرسب على ركيزة في درجة حرارة 333 K، تم القياس في مدى التردد (0،04 حتي 10 ميغاهيرتز) في نطاق درجات الحرارة (298- 473 ) K. تم حساب درجة الحرارة -المعتمدةعلى التوصيلية الكهربائية، والأجزاء حقيقية والخيالية لثابت العزل الكهربائي المعقد في ترددات محددة. كما وتم تحديد مركبة التردد، وطاقة التنشيط،. تم توضيح ميكانكية التوصيل الكهربائي المتناوب للاغشية الرقيقة على أساس التنقل من حاملات الشحنة.

Listing 1 - 10 of 289 << page
of 29
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (289)


Language

English (238)

Arabic (27)

Arabic and English (19)


Year
From To Submit

2019 (11)

2018 (38)

2017 (24)

2016 (33)

2015 (27)

More...