research centers


Search results: Found 7

Listing 1 - 7 of 7
Sort by

Article
High-Speed Response Si PIN Photodetector Fabricated and Studied for Visible and Near Infrared Spectral Detection
تصنيع ودراسة كاشف سليكوني من نوع PIN ذو سرعة استجابية عالية للمنطقة المرئية وتحت الحمراء القريبة من الطيف

Author: Khalid Z. Yahiya
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 10 Pages: 1164-1170
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work , PIN photodetector has been fabricated by vacuum evaporationtechnique, Al was evaporated on top side of an intrinsic – type silicon and In was evaporatedon down side and doped for each sides of an intrinsic silicon with thermal diffusion techniqueusing a furnace system, in this method PIN photodetector is made.The optoelectronic and electrical properties of photodetector were studied ,PIN hasspectral responsivity in visible and near infrared region and has peak responsivity atwavelength 900nm ,I-V characteristic under dark condition the ideality factor is 3.2 and builtin-potential was determined by extrapolation of the curve (1/C3) to a point 1/C3=0 equal 0.8v.a high speed response for the photodetector was determined , it is equal less than 2.35nS.

بطريقة التبخير تم تبخير معدن الألمنيوم على PIN في هذا البحث ، تم تحضير كاشف من نوعالسطح الأعلى للسليكون النقي وأيضا تم تبخير معدن الانديوم على السطح الأسفل للسليكون ثم جرى أشابة. PIN السليكون بطريقة الانتشار الحراري بالفرن وبهذه الطريقة تم تصنيع كاشف من نوعتم دراسة الخواص الكهوبصرية والكهربائية ووجد ان الكاشف له استجابية طيفية للمنطقة المرئية900 ومن خصائص تيار -جهد وتحت nm وتحت الحمراء القريبة وله قمة استجابية عند الطول الموجيظرف الظلام وجد ان للكاشف عامل مثالية يساوي 3.2 ومن خصائص سعة-جهد وجد ان المفرق من النوع1 وجد ان قيمة تساوي /C3= 1 عند النقطة 0 /C المتدرج وتم حساب جهد البناء الداخلي من رسم المنحني 3. 2.35ns 0.8 ووجد ان للكاشف سرعة استجابية عالية حيث وجد ان قيمتها اقل من


Article
PREPARATION AND STUDY CHARACTERISTICS OF CdO THIN FILM

Authors: Gehan E. Simon --- Ammar M. Al-Baldawi --- Adnan H. Fiaem --- Khalid J. Abd Al-Satter
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2009 Volume: 12 Issue: 4 Pages: 92-96
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium thin film have been prepared by vacuum evaporation method on a slide of glass substrate at room temperature and then oxidation process of thin film using oven in air, the crystal structure of the sample was studied using X-ray diffraction, the transmission and absorption characteristics were measured in the wavelength range (300-1000 nm) and the direct band gap energy was determined and found to be 2.45 eV ,the extinction coefficient was studied ,the electrical characteristics were measured, the electrical conductivity was 3×0-2 (Ω.cm), the carriers concentration was 8.9×014(cm-3).

تم تحضير غشاء من معدن الكادميوم بطريقة التبخير الحراري على شريحة من الزجاج الاعتيادي في درجة حرارة الغرفة ومن ثم أكسدة الغشاء بالفرن في الهواء تم دراسة التركيب البلوري للعينات بواسطة حيود الأشعة السينية إضافة الى دراسة النفاذية والامتصاصية للمادة ضمن المدى (300-1000 nm) ، تم حساب فجوة الطاقة المباشرة و وجد أنها (2.45eV) كذلك عامل الفقد مقابل طاقة الفوتون الساقط ,تم دراسة خواص الكهربائية و وجد أن التوصيلية الكهربائية (3 × 10-2Ω.cm) وتركيز الحاملات الشحنة (8.9 × 1014cm-3) .


Article
Study of the electrical properties of the thin film (SnO2 )1-X(Bi2O3)X Preparation by Vacuum evaporation system
المحضر بتقنية التبخير الحراري بالفراغ (SnO2 )1-X(Bi2O3)X دراسة الخواص الكهربائية لغشاء

Author: Wlla M. Mohammed ولاء محفوظ محمد
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2019 Volume: 24 Issue: 2 Pages: 84-87
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, bismuth element was added to the weight ratio of (0,1,3,5)% to tin element using powdered technology method. The thin film of (SnO2)1-X(Bi2O3)X have been prepared with a vacuum evaporation system and oxidized him in oven with temperature at 350° C for 30 min. Results (I-V) Characters with temperature showed that the thin film had a negative thermal resistance factor, while the results showed that the resistance value of the thin film increased from 1KΩ at (0%) to 7.5 KΩ at (5%). The thin film 's sensitivity to heat has also improved significantly. The energy activation decreased from 0,08eV at the addition (0%) to 0,03 eV at the addition of (3%)while increased to 0.087 eV at the addition of (5%) .

تم في هذا البحث اضافة عنصر البزموث بنسب وزنية % (5,3,1,0) الى عنصر القصدير باستعمال تكنلوجيا المساحيق. ولترسيب غشاء (SnO2 ) 1-X(Bi2O3)Xعلى الزجاج تم استعمال تقنية التبخير الحراري بالفراغ ومن ثم اكسدته بفرن بحرارة oC 350 لمدة min 30. بينت نتائج (التيار– الفولتية) مع درجة الحرارة ان الغشاء يملك معامل مقاومة سالب وان قيمة المقاومة للغشاء ارتفعت 1KΩ عند نسبة الاضافة (0%) الى 7.5 KΩ عند الاضافة بنسبة (5%). وان حساسية الغشاء للحرارة تزداد كلما ازدات نسبة الاضافة. اما طاقة التنشيط فقد انخفضت من 0,08eV بنسبة اضافة(0%) الى0,03eV عند اضافة (3%) بينما زادت الى 0.087 eV عند الاضافة بنسبة (5%).


Article
Studying the Optical Properties of CdS Thin Films Prepared by Thermal Vacuum Evaporation Technique with a Different Thickness
دراسة الخصائص البصرية لأغشية CdS الرقيقة المحضرة بتقنية التبخير الحراري في الفراغ وبسمك مختلف

Author: Mahir N. Thomail ماهر نوري ثميل
Journal: Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة ISSN: ISSN: 19918941 Year: 2012 Volume: 6 Issue: 1 Pages: 57-60
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

CdS thin films with a different thickness have been prepared on glass substrates by using the thermal vacuum evaporation technique at substrate temperature of 150oC. The optical characteristics of the prepared thin films have been investigated by UV-VIS spectrophotometer in the wavelength range (300-1100 nm) . The films have a direct allow electronic transitions and the optical absorption are shifted to the low energies by increasing the thickness . Also the optical energy gap (Eg) has decreased from 2.47 eV to 2.22 eV by increasing the thickness value. The extinction coefficient (k) , refractive index (n) and the real and imaginary dielectric constants (ε1 , ε2 ) are investigated. All of these constants increased with the increases in thickness and shifted to the low energies

حضرت أغشية CdS الرقيقة على شرائح زجاجيه باستخدام تقنية التبخير الفراغي الحراري عند درجات حرارة الأساس oC 150 . تم دراسة الخصائص البصرية للأغشية المحضرة باستخدام مطياف (UV-VIS) ضمن مدى الأطوال الموجية (300-1100nm) .ولقد وجدت إن هذه الأغشية ذات انتقالات إلكترونيه مسموحه وان الامتصاصية تزداد بزيادة السمك مع إزاحة نحو الطاقات الواطئة وكذلك تقل فجوة الطاقة من 2.47eV إلى 2.22 eV مع زيادة سمك الأغشية المحضرة. كما تم دراسة معامل الخمود (k) ومعامل الانكسار (n) وثابتي العزل الكهربائي الحقيقي(ε1) والخيالي (ε2) وجميعها أبدت زيادة مع زيادة السمك وإزاحة نحو الطاقات الواطئة .


Article
Measurement of rise time and respectively spectral for detector fabrication experimentally
قياس زمن النهوض والاستجابة الطيفية للكاشف مصنع مختبرياً

Author: Awatif S. Jassim عواطف صابر جاسم
Journal: Journal of Research Diyala humanity مجلة ديالى للبحوث الانسانية ISSN: 1998104x Year: 2009 Issue: 39 Pages: 159-174
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

In this work thin film (PbS) will be preparation by the thermal vacuum evaporation technique and study the properties to fabrication photoconductive detector. We found the thin film is polycrystalline and absorption coefficients increased with wave length decrease from cut off wave length .The absorption coefficient increased when incident photon energy (0.42eV). Ether wais the current increased with incident light Some of important parameters must be study are spectral response and rise time for the detector which fabricate experimentally. We found the intensity spectral response at (2.3µm). Also has been study the relation between the rise time and temperature. The results illustrated the rise time increased with decrease temperature.

تم في هذا العمل ترسيب غشاء رقيق من مادة (PbS) بالتبخير الفراغي الحراري ودراسة خصائصه لتصنيع مادة (PbS) . حيث وجد خلال هذه الدراسة إن الغشاء متعدد البلورات وله معامل امتصاص يتزايد عند الأطوال الموجية الأقل من طول موجة القطع . وكذلك تم التوصل على أن معامل الامتصاص يزداد عندما تصبح طاقة الفوتون الساقط (0.42eV). ولوحظ إن التيار يزداد بزيادة شدة الضوء الساقط عليه. من المعلمات المهمة التي يجب دراستها الاستجابة الطيفية وزمن استجابة الكاشف المصنع مختبريا"، تم التوصل عمليا" إن الاستجابة الطيفية له بحدود (2.3µm). كما تم دراسة العلاقة بين زمن الاستجابة ودرجة الحرارة حيث تم التوصل إن زمن استجابة الكاشف يزداد مع انخفاض درجة الحرارة.


Article
The Thermoelectric Properties of Vacuum Evaporated In0.8Se0.2 alloy Thin Film Nanostructure

Author: Amar H. Jareeze
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2013 Volume: 16 Issue: 2 Pages: 124-128
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In0.8Se0.2 thin films were prepared on glass substrate by vacuum evaporation technique at a pressure of 10-5 torr. The crystallinity of the thin film has been analyzed by X-ray diffraction, which show the formation of hexagonal system, Scanning Electron and Atomic Force microscopy examination indicates that the grain size have nearly spherical shape with diameters range from 100nm to 600nm. The thermoelectric properties of the films were determined over the thickness of 200nm Thermoelectric properties show a negative sign exhibiting n- type semiconducting nature of films. The electrical conductivity and Seebeck coefficient were measured from room temperature up to about 423 K, the Seebeck coefficient increases with increasing temperature and the electrical conductivity decreases with increasing the temperature of the sample the power factor coefficient increases with increasing temperature.

تم تحضير غشاء رقيق من مادة In0.8Se0.2 على قواعد زجاجية بطريقة التبخير الحراري تحت ضغط 10-5تور . جرى تحليل ودراسة خاصية التبلور للغشاء الرقيق بأستخدام جهاز حيود الاشعة السينية ووجد ان الغشاء سداسي التبلور وجرى ايضا دراسة سطح الغشاء بجهاز المجهر الالكتروني الماسح ومجهر القوى الذرية ووجد ان الحجم الحبيبي كروي الشكل تقريبا بأقطار حوالي من 100 نانومتر الى 600 نانومتر تم قياس سمك الغشاء ووجد سمكه 200 نانومتر وتم دراسة الخواص الكهروحرارية ووجد ان الغشاء من النوع n-type والخواص الكهربائية ومعامل سيبك كدالة لدرجة الحرارة في درجة حرارة الغرفة الى حوالى 423 كلفن ووجد ان معامل سيبك يزداد مع زيادة درجة الحرارة اما التوصيلية فقد قلت مع زيادة الحرارة اما معامل القدرة فقد ازداد مع زيادة الحرارة .


Article
Growth and Characterizes of PbI2 Films By Vacuum Evaporation Method

Authors: Mohammed. S. Mohammed --- Ghassaq. D. Salman --- Khaleel. I. Hassoon
Journal: Al-Mustansiriyah Journal of Science مجلة علوم المستنصرية ISSN: 1814635X Year: 2019 Volume: 30 Issue: 2 Pages: 60-66
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, thin films of lead iodide (PbI2) were deposited on glass substrates with different thicknesses by vacuum thermal evaporation method. The structural, chemical, electrical and optical characteristics of the thin films were studied. XRD analysis showed that lead iodide film is polycrystalline having hexagonal structure. A particle size was estimated by Williamson - Hall of technique (13) nm and strain (4.90*10-3) is found from the intercept with y-axis and slope for PbI2. The UV-VIS measurements illustrated that the lead iodide has a direct optical band gap and Urbach energy to be 0.677 eV. Raman peaks are detected at 70, 96, 99.5, 188 and 202 cm-1 which corresponding to the characteristic of PbI2 at (E21, A11, 2E11 and A1g). The FTIR spectrum of PbI2 thin film showed six bands at 1650, 1900, 3100, 3400, 3600 and 3800 cm-1. Mechanism of dc transport was also analyzed in the temperature range 315–395 K. However the variation of reflectivity in the range near infrared is conductive which attributed to thin film nature, where this film contains light scattering and large surface area, which enhance the optical absorption and hence, a low reflectivity is obtained.

في هذا العمل، ترسبت أغشية رقيقة من يوديد الرصاص (PbI2) على ركائز زجاجية بأسماك مختلفة بواسطة طريقة التبخير الحراري بالفراغ. تمت دراسة الخصائص التركيبية والكيميائية والكهربائية والبصرية للأغشية الرقيقة. أظهر تحليل XRD أن غشاء يوديد الرصاص عبارة عن غشاء متعدد البلورات له بنية سداسية. تم تقدير حجم الجسيم13 nm) ) بواسطة تقنية Williamson-Hall و المطاوعة (4.90*10-3) من التقاطع مع المحور y والميل لـ PbI2. توضح قياسات الأشعة فوق البنفسجية UV-VIS أن يوديد الرصاص له فجوة طاقة بصرية مباشرة وأن طاقة أورباخ هي (0.677 eV). تم الكشف عن قمم رامان في ,70 ,96 ,99.5 188و 202 cm-1 والتي تتوافق مع خصائص PbI2 في (E21 ، A11 ، 2E11 و A1g). أظهر الطيف FTIR لغشاء PbI2 الرقيق ستة اواصر في,1650, cm- ,1900 3100 , 3400 , 3600و 3800 .cm-1 كما تم تحليل آلية نقل التيار المستمر في نطاق درجة الحرارة 315–395 K. ومع ذلك ، فإن تغيّر الانعكاسية في المدى القريب من الأشعة تحت الحمراء موصلٌ إلى الطبيعة الغشاء الرقيقة ، حيث يحتوي هذا الفيلم على تشتت الضوء ومساحة سطح كبيرة ، مما يعزز الامتصاص وبالتالي ، يتم الحصول على انعكاسية قليلة.

Listing 1 - 7 of 7
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (7)


Language

English (7)


Year
From To Submit

2019 (2)

2013 (1)

2012 (1)

2009 (2)

2008 (1)